陳星弼院士去世曾入選ISPSD名人堂 陳星弼人物生平貢獻(xiàn)成就介紹
陳星弼院士去世曾入選ISPSD名人堂 陳星弼人物生平貢獻(xiàn)成就介紹
陳星弼院士去世，“中國(guó)功率器件領(lǐng)路人”陳星弼院士于12月4日在成都逝世，享年89歲。陳星弼是國(guó)際半導(dǎo)體界著名的超結(jié)構(gòu)的發(fā)明人，該發(fā)明被稱為“功率器件的新里程碑”。他曾說(shuō)，能夠在短促的人生中，以科學(xué)服務(wù)人類，這就是我此生不倦追求。希望有更多的青年獻(xiàn)身科研，成為服務(wù)國(guó)家科研發(fā)展的脊梁。走好！
2019年12月4日17時(shí)10分，“中國(guó)功率器件領(lǐng)路人”陳星弼在四川成都逝世，享年89歲。陳星弼，1931年1月出生于上海，1952年畢業(yè)于國(guó)立同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系，先后在廈門(mén)大學(xué)、南京工學(xué)院及中國(guó)科學(xué)院物理研究所工作，1956年開(kāi)始在電子科技大學(xué)任教，1999年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。他是國(guó)際半導(dǎo)體界著名的超結(jié)結(jié)構(gòu)（Super Junction）的發(fā)明人，該發(fā)明被稱為“功率器件的新里程碑”。2018年，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最頂級(jí)的學(xué)術(shù)年會(huì)上，陳星弼院士入選ISPSD首屆名人堂，成為國(guó)內(nèi)首位入選名人堂的華人科學(xué)家。
陳星弼是我國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)路人和集大成者。他一生發(fā)表學(xué)術(shù)論文200余篇，獲得中美等國(guó)專利授權(quán)40余項(xiàng)。他是國(guó)際上首個(gè)提出超結(jié)耐壓層理論的科學(xué)家，他的超結(jié)發(fā)明專利打破傳統(tǒng)“硅極限”，被國(guó)際學(xué)術(shù)界譽(yù)為“高壓功率器件新的里程碑”。
陳星弼曾獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)、科技進(jìn)步獎(jiǎng)等諸多榮譽(yù)，2015年獲得IEEE ISPSD（國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)）頒發(fā)的最高榮譽(yù)“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”，成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學(xué)家。
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